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10.5亿!聚灿光电新增GaAs红黄光外延芯片项目

文涛 2024-03-08 0
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3月6日,聚灿光电发布公告,宣布拟变更“Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目”的部分募集资金(共计8亿元)用途,用于新项目“年产240万片红黄光外延片、芯片项目”的实施。

本次变更后,剩余的募集资金将继续实施原有项目,原募投项目的资金缺口部分将由聚灿光电以自筹资金继续投入。

公告披露,Mini/Micro LED芯片研发及制造扩建项目总投资15.5亿元,主要建设内容包括厂房建设、购置生产Mini/Micro LED芯片所需设备等,项目建成后形成年产720万片Mini/Micro LED芯片产能。

该项目原计划募集资金投入108,155.02 万元,截至2023年12月31日,投入募集资金65.11万元,剩余募集资金108,089.91 万元。

现聚灿光电拟变更剩余募集资金内的8亿元投入新项目:新增年产240万片红黄光外延片、芯片项目。
经查阅,新增年产240万片红黄光外延片、芯片项目的实施主体为聚灿光电科技 (宿迁)有限公司,建设期为 24 个月,项目计划总投资 105,000.00 万元。

本项目拟通过使用聚灿光电科技(宿迁)有限公司生产 基地厂房,购置 MOCVD 及相关配套设备,形成 GaAs 基外延片的产能。所生产 的 GaAs 基外延片将主要用于生产 GaAs 基芯片。

预计本项目达产后,年均营业收入为 61,330.81 万元, 年均利润总额为 11,720.08 万元,年均净利润为 9,962.07 万元。

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